韩国三星电子3月25日发布消息称，在半导体生产的主要工序中投产了使用新一代“EUV（极紫外线）”光刻设备的量产线。
在半导体存储器领域，全球首家使用EUV光刻设备。三星时隔约20年正式引入新一代生产技术。
EUV是波长只有13.5纳米（纳米为10亿分之1米）的极短极紫外线。光刻设备被用于在硅晶圆上刻出半导体线路的重要工序。使用EUV光刻设备，能够以更短时间刻画出细微电路，从而降低制造成本。三星方面表示，“与以往的技术相比，不仅能够提高存储器的性能，生产效率也将提高至2倍”。
三星向首尔近郊华城工厂的DRAM生产线中引入EUV光刻设备，并开始以100万个为单位供应最尖端的存储器产品。计划2020年内在平泽工厂也引入同样的量产线。
三星是全球最大的存储器生产商。第2大存储器厂商韩国SK海力士计划2021年在DRAM生产线中引入EUV光刻设备。
三星在2000年代初期引入了目前主流的“ArF”光刻技术。但是在左右半导体性能的线路宽度细微化方面，ArF技术已接近极限。三星将活用新一代EUV技术，先于其他厂商量产高性能半导体。
在CPU等运算用半导体领域，EUV光刻设备已经被台湾积体电路制造（TSMC，台积电）和美国英特尔采用。三星开创了在半导体存储器领域使用EUV光刻设备的先河。
EUV光刻设备由荷兰厂商ASML生产，有投资余力的半导体厂商有限，三星力争通过引入新技术来拉大与竞争对手的距离。
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